应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：太阳能转变

关键性能：OC-CNF@CNT的光催化性能最高，产氢量为22.64 μmol·g−1·h−1，分别是BOC-CNF和BOC-CNT的1.99和1.42倍

标签属性：光催化

应用场景：钙钛矿太阳能电池性能

关键性能：添加二维MoSe2 纳米片的PSCs的平均光电转换效率（PCE）由标准器件的19.40%提高到21.76%，最优PCE达到22.80%。

标签属性：钙钛矿太阳能电池

应用场景：印刷二维材料电子器件

关键性能：用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能

标签属性：印刷 薄膜

应用场景：光致发光显示

关键性能：实现了绿红双重光发射

标签属性：光致发光显示 半导体量子点

应用场景：二维半导体

关键性能：该阵列表现出100% 的器件良率、高器件性能和优异的均匀性

标签属性：二维半导体薄膜 单晶2H-MoTe2薄膜

应用场景：光电子器件

关键性能：为解决长期以来宽禁带半导体中n、p型导电严重不对称的根本性难题，开发新型二维深紫外光电子器件，提出了创新见解和技术路线

标签属性：光电子器件 二维半导体材料

应用场景：二维半导体材料

关键性能：所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质

标签属性：二维半导体材料 二硫化钼

应用场景：电子、光电子器件

关键性能：极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率

标签属性：光电子器件 二维半导体材料 晶体管器件

应用场景：开发高介电常数材料

关键性能：表现出理想的亚一纳米级CET，具有低漏电流

标签属性：二维半导体 晶体管 钙钛矿

应用场景：二维半导体材料

关键性能：不需要外部的载流子注入，不需要金半接触，也不需要对单层二维半导体材料进行额外的掺杂或载流子调控

标签属性：半导体

应用场景：二维半导体

关键性能：证明了激子扩散和两体激子-电荷俄歇复合在2D器件中的基本作用，并强调2D半导体的本征光物理可用于创建更高效的光电器件。

标签属性：2D半导体

应用场景：柔性电子、可穿戴电子

关键性能：实现了从蓝光到红光（420 to 610 nm）的全光谱发光，且蓝光量子效率刷新了目前文献纪录值

标签属性：氮化硼；量子点

应用场景：催化

关键性能：在420 nm处的量子效率为17.6%, 同时实现了0.61%的光化学转换效率

标签属性：光催化