应用场景：光电探测器

关键性能：AA‘堆叠型C3N双层比AB’堆叠型双层(0.89eV)具有更小的带隙(0.30eV)；在1.4 V nm-1的外加电场下AB'堆垛的双层C3N的带隙下降约0.6 eV

标签属性：二维C3N