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在介质衬底上黑磷及其合金的高质量单晶薄膜制备
应用场景:新型光电子器件
关键性能:黑磷薄膜单晶晶畴尺寸达到亚厘米级。所生长的黑磷单晶薄膜的XRD (004)衍射峰的半峰宽仅为0.08°
标签属性:黑磷
六方氮化硼薄膜大面积制备及剥离
应用场景:柔性及透明光电子器件
关键性能:转移薄膜的带边吸收峰为229 nm,相应的光学带隙为5.50 eV。
标签属性:半导体
首次成功实现了二维h-BN的 n型导电和垂直p-n结器件
应用场景:光电子器件
关键性能:为解决长期以来宽禁带半导体中n、p型导电严重不对称的根本性难题,开发新型二维深紫外光电子器件,提出了创新见解和技术路线
标签属性:
光电子器件
二维半导体材料
褶皱衬底提高二维半导体载流子迁移率
应用场景:电子、光电子器件
关键性能:极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率
标签属性:
光电子器件
二维半导体材料 晶体管器件
在悬空石墨烯结构获得高质量的本征等离激元
应用场景:高速光电子器件
关键性能:彻底解决基底引入的额外损耗和限制调控等问题
标签属性:石墨烯
光电子器件
等离激元
铁掺杂的双钙钛矿Cs2AgBiBr6单晶
应用场景:光电
关键性能:光吸收范围由橙光波段(~610nm)拓宽至近红外波段(~1350nm)
标签属性:钙钛矿
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