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直写电子束光刻技术制备有机
薄膜
晶体管
应用场景:有机薄膜晶体管
关键性能:p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109,亚阈值波动可达70 mV/devade,n沟道晶体管的on/off比可以达到108,亚阈值波动可达80 mV/decade
标签属性:柔性电子 TFTs 有机
薄膜
晶体管
生产有源矩阵微LED显示屏
应用场景:Micro-LED显示屏
关键性能:无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT
标签属性:Micro-LED显示屏 微LED芯片
一种混合集成膜策略
应用场景:捕获CO2
关键性能:不受扩散限制,并保留了其大部分高CO2渗透性
标签属性:CO2捕获 混合集成膜
兼具高效率、低成本、高稳定的n-型光伏材料
应用场景:有机太阳能电池
关键性能:基于全稠环电子受体的器件获得了13%的光电转化效率,是非INCN类受体材料的效率最高值
标签属性:太阳能电池
超渗透和超选择性二氧化碳聚合物膜的综合材料方法
应用场景:二氧化碳分离膜材料
关键性能:以这种方式制备的集成多层膜不受扩散限制,并保留了其高CO2渗透性,并且在某些情况下,其CO2选择性同时增加了约150倍以上
标签属性:膜材料
印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列
应用场景:多功能光电器件阵列
关键性能:在线性偏振光的照射下表现出偏振响应特性,器件光电流的二向色性比为1.42。该微观弯液面操控策略具有很好的普适性,可实现单一取向晶体阵列的大面积图案化印刷制备
标签属性:光电材料
富勒烯衍生物FP-C8
应用场景:钙钛矿太阳能电池
关键性能:在100 mW cm-2的白光LED照射下进行稳态能量输出测试,1000小时后仍能保持初始效率的96%,而基于PCBM的器件在670小时后衰减至60%
标签属性:钙钛矿
半永久抗氧化特性的铜
薄膜
应用场景:铜薄膜抗氧化
关键性能:平坦的(111)表面,偶见少量的单原子台阶
标签属性:铜
薄膜
纳米晶体自组装成强电子耦合的全无机超晶体
应用场景:导电胶体纳米晶
关键性能:将金、铂、镍、硫化铅和硒化铅的胶体纳米晶体与导电无机配体,可逆地自组装成超晶体,该超晶体表现出与组成纳米晶体之间的强电子耦合一致的光学和电子性质。电荷稳定纳米晶体相行为的实现,可以通过合理化计算粒子短程吸引势相互作用的相图。精细调节粒子间的相互作用,可以一步成核或非经典的两步成核途径,从而引导组装过程。在后一种情况下,在成核之前形成两种亚稳态胶体流体。
标签属性:导电胶体纳米晶
可拉伸全聚合物发光二极管
应用场景:类皮肤传感器
关键性能:高亮度(7450 cd/m2),电流效率(5.3 cd/A)和可拉伸性(100%的应变)
标签属性:发光二极管
二维共价有机框架
薄膜
材料制备
应用场景:有机框架材料
关键性能:电导约为8.40 × 10–6 S/cm,组装成场效应晶体管,器件开关比为105,空穴迁移率为1.89×10–3 cm2 V–1 s–1,相对于报道的其他希夫碱结构的COF材料,提高了近三个数量级
标签属性:COFs
单晶石墨烯制备
应用场景:制备大面积纯单层高质量石墨烯
关键性能:成功制备了大面积单层单晶石墨烯(17 cm2),所得实验结果与密度泛函理论(DFT)计算和相场模型模拟的选择性刻蚀过程吻合较好
标签属性:石墨烯
g-C3.6N4/PVA柔性光电子
薄膜
应用场景:伤口敷料
关键性能:优异的光活性抗菌性能
标签属性:柔性电子
无电池微型无线传感器设备
应用场景:户外环境和现实世界传感应用
关键性能:可以在空气中以每秒0.87 m的速度移动,当无人机释放时,可以在微风中飞行100 m。实际测试表明,传感器可以将数据传输到60 m远的地方
标签属性:仿生
自助装外延铁电氧化物纳米弹簧
应用场景:可拉伸柔性电子器件
关键性能:在原位力学实验中发现La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3微纳弹簧可以承受巨大的压缩和拉伸形变,同时表现出优异的可恢复特性
标签属性:柔性电子
异形件表面快速全方位沉积DLC
薄膜
应用场景:类金刚石碳基(DLC)薄膜
关键性能:解决了在各种异形件表面快速沉积DLC薄膜的均匀性问题;通过结构设计、掺杂以及工艺优化,可实现DLC薄膜的功能化,如摩擦学性能、超疏水、耐腐蚀(海洋腐蚀、人体体液腐蚀)以及生物相容性等
标签属性:
薄膜
基于热敏半导体的全柔性智能热触摸面板
应用场景:柔性电子
关键性能:超高温度电阻系数为−4.7%K−1,分辨率为0.05 K,快速响应/恢复时间为0.11/0.11s
标签属性:柔性电子
可编程、皮肤温度激活的机电协同敷料
应用场景:可编程温度响应、无电池机电协同生物医学设备
关键性能:与空白对照组相比,伤口闭合率显著提高了50%以上
标签属性:柔性电子
MXene晶圆级光电探测器
应用场景:电子和光电器件
关键性能:该阵列具有优异的均匀性、高分辨率成像能力、迄今为止最高的MXene光电探测器的探测度
标签属性:MXene
二硫化钼晶体管
应用场景:晶体管
关键性能:实现了栅极长度为0.34 nm的侧壁晶体管,这也是迄今为止最小的栅极长度晶体管;开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117 mV dec-1。
标签属性:半导体
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