选择
取消
首页
需求
视频
产品
专栏
招聘
活动
个人中心
首页
»
产品库
类别
▼
X
直写电子束光刻技术制备有机薄膜晶体管
应用场景:有机薄膜晶体管
关键性能:p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109,亚阈值波动可达70 mV/devade,n沟道晶体管的on/off比可以达到108,亚阈值波动可达80 mV/decade
标签属性:柔性电子
TFTs
有机薄膜晶体管
Copyright © 2011 - 2020 cailiaoren.com. All rights reserved.
京ICP备16046932号-2
京公网安备11010802029412号