南京大学电子科学与工程学院李涛涛、王欣然和东南大学物理学院通过调控原子梯级高度，在蓝宝石基底的c面上，利用外延生长，然后将形成的TMDs区域融合，实现了99%的均匀成核，制备了厘米级二硫化钼薄膜。由此制备的短沟道场效应晶体管（FET）迁移率可达122.6 cm²·V⁻¹·s⁻¹，短沟道FET开态电流可达1.27 mA·μm⁻¹。该成果以“Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire”发表在《nature》。