据北京大学官网报道，北京大学物理学院叶堉研究员课题组在前期二维碲化钼（MoTe₂）相变与可控制备的基础上（J. Am. Chem. Soc. 141, 2128-2134, 2019; Science 372, 195-200, 2021），与合作者进一步提出了一种不受支撑基底限制的平面内二维横向外延技术，将单晶2H-MoTe₂半导体薄膜与高度晶格失配的平面晶体或任意形貌的3D架构异质集成，从而发展前所未有的集成技术与器件功能。2022年8月15日，相关研究成果以《用于大规模异质集成的任意表面上半导体2H-MoTe₂薄膜的异质外延》（“Heteroepitaxy of semiconducting 2H-MoTe2 thin films on arbitrary surfaces for large-scale heterogeneous integration”）为题在线发表于《自然·合成》（Nature synthesis）。