中国科学院上海光学精密机械研究所研究团队，在透射电镜精确表征纳米薄膜研究方面取得进展。研究团队提出了样品沿β方向倾转后测量薄膜厚度的计算公式，并给出了TEM精确表征纳米薄膜结构的方法。团队以沉积在Si［100］基底的Mo/Si多层膜为例，通过TEM测量了多层膜在不同倾转角度下的膜层结构。结果表明，样品沿α方向倾转时，因薄膜厚度方向始终与电子束垂直，电子束穿过的TEM样品厚度增大，因而Mo层和Si层的测量厚度几乎没有变化，但界面粗糙度增大；样品沿β方向倾转时，因样品截面与电子束不垂直，导致伪影严重，难以区分Mo层和Si层。进一步，团队提出了样品沿β方向倾转后测量薄膜厚度的计算公式，并给出了TEM精确表征纳米薄膜结构的方法，即从制样开始，沿特定方向［1-10］切割Si wafer，再从［110］晶带轴观察样品，可保证Si wafer和薄膜截面均与电子束垂直，并在TEM样品较薄的区域拍照分析。该技术一定程度上提高了TEM表征纳米薄膜结构的准确性，对光学薄膜微观结构影响及其性能研究具有重要意义。同时，该技术的进一步应用可指导光学薄膜工艺改进方向，助力光学薄膜研发。相关研究成果发表在《光学学报》上。