应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：印刷二维材料电子器件

关键性能：用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能

标签属性：印刷 薄膜

应用场景：晶体管

关键性能：能够实现0.2 V超低工作电压，0.0124 pW/μm的超低功耗和2 Mrad的抗辐照能力

标签属性：半导体器件 碳纳米管薄膜晶体管 纸基电子技术

应用场景：有机场效应晶体管

关键性能：实现了73 mv/dec的亚阈值摆幅，接近室温下的理想值

标签属性：有机场效应晶体管 光电晶体管

应用场景：有机场效应晶体管（OFETs）

关键性能：有效空穴迁移率最高可达3.35 cm2 V–1 s–1

标签属性：有机场效应晶体管（OFETs）

应用场景：光电晶体管

关键性能： isQDSN内形成了独特的量子点空间分布，实现了高光敏特性

标签属性：人工视觉 纳米复合材料 量子点 光电晶体管

应用场景：半导体器件

关键性能：借助MoS2与Au(111)完美的晶格匹配和较强的界面相互作用，实现了单一取向单层MoS2条带的可控制备

标签属性：半导体器件 MoS2单晶薄膜

应用场景：双极晶体管

关键性能：具有（超过100倍的）高差分放大率和优越的高频性能

标签属性：双极晶体管

应用场景：双极晶体管

关键性能：具有（超过100倍的）高差分放大率和优越的高频性能

标签属性：双极晶体管 有机场效应晶体管 有机半导体材料

应用场景：二维半导体材料

关键性能：所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质

标签属性：二维半导体材料 二硫化钼

应用场景：电子、光电子器件

关键性能：极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率

标签属性：光电子器件 二维半导体材料 晶体管器件

应用场景：开发高介电常数材料

关键性能：表现出理想的亚一纳米级CET，具有低漏电流

标签属性：二维半导体 晶体管 钙钛矿

应用场景：可穿戴器件

关键性能：在应变下仍然可以实现有效的电子和离子传输，保持较高的跨导和稳定的输出特性曲线

标签属性：晶体管 可穿戴器件

应用场景：过渡金属硫化物

关键性能：迁移率可达122.6 cm2·V−1·s−1，短沟道FET开态电流可达1.27 mA·μm−1

标签属性：二硫化钼 MoS2器件

应用场景：有机薄膜晶体管

关键性能：p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109，亚阈值波动可达70 mV/devade，n沟道晶体管的on/off比可以达到108，亚阈值波动可达80 mV/decade

标签属性：柔性电子 TFTs 有机薄膜晶体管

应用场景：Micro-LED显示屏

关键性能：无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT

标签属性：Micro-LED显示屏 微LED芯片

应用场景：光探测

关键性能：在405 nm光照下表现出优异的光探测性能

标签属性：光电器件 边缘工程

应用场景：智能夜视和多光谱传感

关键性能：能够响应1.5 µm ~ 3.1 µm范围宽的红外光谱

标签属性：传感器

应用场景：有机框架材料

关键性能：电导约为8.40 × 10–6 S/cm，组装成场效应晶体管，器件开关比为105，空穴迁移率为1.89×10–3 cm2 V–1 s–1，相对于报道的其他希夫碱结构的COF材料，提高了近三个数量级

标签属性：COFs

应用场景：低维材料特别是一维材料的开发

关键性能：发现了一批新型的一维材料，并找到部分一维材料与二维材料结构图之间的子图同构关联

标签属性：人工智能 机器学习 图论